

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ

Номер публикации патента: 2132583

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	98103183/25

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01L021/203
Аналоги изобретения:	US 3915765 A, 1975. US 527367 A, 1993. US 4159919 A, 1979. US 4154631 A, 1979. SU 1487973 A1, 1987. RU 2086038 C1, 1997. WO 94/12698 A1, 1994. US 4190470 A, 1980.

Имя заявителя:	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,Центр технологий микроэлектроники
Изобретатели:	Лучинин В.В. Корляков А.В. Костромин С.В.
Патентообладатели:	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет Центр технологий микроэлектроники

Реферат

Использование: изобретение относится к технологии многокомпонентных полупроводниковых материалов и касается управления процессом нанесения эпитаксиальных полупроводниковых структур на подложку в установке корпускулярного осаждения. Сущность изобретения: способ предусматривает регулирование температуры осаждения и избытка одного из исходных компонентов корпускулярного пучка.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"