|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - ПЛЕНКА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2128382 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | RU 2046419 C1, 1995. RU 2034365 C1, 1995. RU 2033660 C1, 1995. EP 0264774 A2, 1988. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и ИС. - М.: Высшая школа, 1986, с.118-120. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: при изготовлении приборов по МОП- и КМОП-технологии, в сенсорной микроэлектронике при изготовлении датчиков физических величин. Технический результат способа - увеличение процента выхода годных структур кремний - пленка диоксида кремния за счет снижения дефектности пленок. Способ включает нанесение пленки диоксида кремния на кремниевую подложку и циклическую низкотемпературную обработку структур в жидком азоте, чередующуюся через 30 - 60 с с выдержкой при комнатной температуре, при обработке измеряют изменение показателя преломления пленки и прекращают обработку по достижении показателем преломления постоянного значения. Выдержку структур при комнатной температуре осуществляют путем погружения их в органический растворитель - этанол. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента