|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2127927 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | RU 2033660 C1, 20.04.95. DD 223297 A, 05.06.85. EP 0294259 A2, 07.12.88. SU 1649616 A1, 15.05.91. Курносов А.И. и др. Технология производства полупроводниковых приборов и ИМС. - М.: Высшая школа, 1986, с.134-135. Концевой Ю.А. и др. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. - М.:Энергия, 14973, с.88-90. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К.
Лашманов В.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: технология микроэлектроники для оценки качества слоев диоксида кремния, выращенных на кремниевых подложках. Технический результат способа - повышение чувствительности и экспрессности эллипсометрического контроля пористости пленок диоксида кремния. Сущность изобретения: регистрируют изменения показателя преломления пленки, измеряемого эллипсометрическим методом при нормальных условиях и нагреве структуры до 350 - 400 К, перед измерениями структуру выдерживают в течение 10 - 15 мин при температуре 320 - 350 K в этиловом спирте.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента