|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЛУБОКОГО АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЛУБОКОГО АНИЗОТРОПНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ |  |
Номер публикации патента: 2127926 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | E. Gaulhofer Spin etcher for rewoval of backside depositions. Solid state Technology, 19914, 57, 58, p.219. EP, 0044567 A1, 1982. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / Под ред.Б.Д.Луфт. - М.: Радио и связь, 1982, с.119-121. U.Dibbern/ A substrate for thin - film gas seusors in microelectronic technology seusors and actuators B, 2, 1990, p.63-70. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество закрытого типа "Техномаш МТ" | | Изобретатели: | Шустров А.В.
Кобозева Г.А.
Мироненко И.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество закрытого типа "Техномаш МТ" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами (1-5 мкм), а также мембран для рентгеновских фотошаблонов. Сущность изобретения: перед травлением щелочной травитель вспенивают и полученной пеной обрабатывают обратную сторону кремниевой пластины, при этом, используя устройство, в котором система подачи травителя представляет собой полую трубку с закрепленным распылителем на одном конце, а пластина крепится неподвижно через резиновое уплотнение к горизонтальному основанию. Технический результат изобретения заключается в исключении гидродинамического давления жидкости на пластину, когда слой кремния под тонкой мембраной полностью удален. 2 с. п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента