На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КМОП ИС БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ (БМК)

Номер публикации патента: 2124252

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  96121655		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: микроэлектроника, способы изготовления КМОП интегральных схем (ИС) базовых матричных кристаллов (БМК) с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня, может быть использовано как в цифровых, так и в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах с низкой себестоимостью изготовления. Техническим результатом изобретения является реализация КМОП ИС БМК с самосовмещенным поликремниевым затвором и поликремниевой или полицидной разводкой первого уровня с минимальной себестоимостью изготовления и финишной специализацией БМК в слоях поликремниевой (или полицидной) и металлической разводок и контактных окон в межслойном диэлектрике, а также обеспечение возможности формирования прецизионных поликремниевых резисторов и изолированных конденсаторов до начала специализации ИС БМК и возможности предварительного контроля работоспособности и характеристик элементом БМК изготовителем базовых слоев БМК до начала его специализации. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП ИС БМК с поликремниевыми затворами, самосовмещенными с истоками, стоками и поликремниевой разводкой первого уровня, включающем формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоев полевого и затворного диэлектриков, поликремниевых затворов и самосовмещенных с затворами истоков, стоков МОП транзисторов, слоев поликремниевой и металлической разводок, разделенных межслойным диэлектриком, после формирования слоя затворного поликремния проводят фотогравировку в затворном поликремнии окон под истоки, стоки, одновременно формируя контуры затворов соответствующих МОП транзисторов, формируют ионным легированием самосовмещенные с затвором области истоков, стоков n- и p-типов и далее проводят фотогравировку поликремниевой разводки, причем в рисунке разводки выполняют фигуры, перекрывающие уже сформированные поликремниевые затворы на величину более максимального рассовмещения слоя разводки относительно слоев n- и р- истоков, стоков. 2 с. и 4 з.п.ф-лы, 3 ил.

Вернуться к списку