|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2120683 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Мильвидский М.Г. Лайнер Л.В. К методике выявления дислокаций в монокристаллах кремния. Заводская лаборатория, 1962, т.28, N 4, с.459-462. 2. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций, М, Мир, 1968, с.26-30. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника. Сущность изобретения: способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния включает деформирование кристаллов, отжиг в деформированном состоянии, химическое травление после отжига и металлографический контроль. Деформирование осуществляют путем последовательного нанесения на исследуемую поверхность кристалла равнотолщинных пленок сначала монооксида германия и на нее монооксида или диоксида кремния, а после отжига пленки удаляют химическим травлением. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента