|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК |  |
Номер публикации патента: 2120682 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | Лабунов В.А. и др. Современные методы геттерирования и технологии полупроводниковой электроники. - ЗЭТ, 1983, N 11, с. 3 - 66. Лабунов В.А. и др. Пористый кремний в полупроводниковой электронике. - ЗЭТ, 1978, N 15, с. 3 - 48. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Перевощиков В.А.
Шенгуров В.Г. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и удаление пористого кремния. Пористый кремний формируют на рабочей стороне подложек и затем аморфизируют поверхность пористого кремния облучением ионами с энергией, при которой глубина проникновения ионов не превышает толщину слоя пористого кремния. Последующее удаление облученного пористого кремния проводят путем химико-динамического полирования в кислотном травителе. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента