|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2119693 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | 1. Лабунов В.А. и др. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. Зарубежная электронная техника, 1983, N 11, с.3-66. 2. US, патент 4053335, МПК 6 H 01 L 21/324, 1978. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Гусев В.К.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для повышения однородности распределения электрофизических характеристик подложек вдоль их рабочей стороны за счет снижения концентраций структурных дефектов и фоновых примесей в приповерхностной области на рабочую сторону пластины монокристаллического кремния наносят моноокись германия в виде пленки толщиной 1,0 - 2,5 мкм, отжигают структуру в течение 3 - 5 ч при температуре 700 - 800 К, а затем пленку удаляют химическим травлением. 1 табл. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента