|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2116686 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | Appl. Surf. Sci., 36 (1989), 141-149. Appl. Surf. Sci., 78 (1994), 437-43 . |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Алехин А.П.
Мазуренко С.Н.
Маркеев А.М.
Науменко О.И. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: в способе получения пленки диоксида кремния на подложке, включающем подготовку поверхности подложки путем обработки ее в газовых реагентах при воздействии УФ-излучения с длиной волны 185, 254 нм и температуре 200-250oC и последующее осаждение в едином технологическом цикле пленки диоксида кремния из газовых реагентов при воздействии УФ-излучения с длиной волны 185, 254 нм и температуре 200-250oC, перед подготовкой поверхности подложку обрабатывают в газовой смеси трифторида азота и водорода с парциальным давлением 500-700 Па каждого при УФ-облучении с длиной волны не выше 170 нм при температуре 100-120oC, при этом при подготовке поверхности в качестве газовых реагентов используют смесь трифторида азота, водорода и кислорода при парциальных давлениях 500 - 700 Па, 500-700 Па и 100-200 Па соответственно, а для осаждения пленки диоксида кремния в качестве газовых реагентов используют смесь тетраметоксисилана и кислорода при парциальных давлениях 50-100 Па и 500-1000 Па соответственно. 3 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента