|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ФОТОШАБЛОН ДЛЯ ФОТОЛИТОГРАФИИ |  |
Номер публикации патента: 2114485 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/027 | | Аналоги изобретения: | JP, заявка, 4-81856 A, кл. H 01 L 21/027, 1992. Березин А.С., Мочалкина О .Р. - Технология и конструирование интегральных схем. - М.: Радио и связь, 1983, с. 70 - 73. |
| Имя заявителя: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева | | Изобретатели: | Гайнуллина Н.Р.
Сафиуллин Н.З. | | Патентообладатели: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем. Предложен фотошаблон для фотолитографии, состоящий из прозрачной пластины, на которую нанесены рисунки элементов микросхем, которые предварительно искажены по своим геометрическим размерам в соответствии с изменением толщины пленки фоторезиста, нанесенной на подложку, по следующей зависимости: Вi = Boi + (-1)KC [d ( r )], где Bi - геометрический размер (ширина) рисунка элемента на фотошаблоне, Вoi - заданный геометрический размер рисунка; К = 1 - для негативного фоторезиста; К = 2 - для позитивного фоторезиста; С - искажение геометрического размера рисунка; d - толщина пленки фоторезиста; r - радиальная координата. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента