|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОЙ МАСКИ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ |  |
Номер публикации патента: 2112300 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/308 | | Аналоги изобретения: | 1. FR, заявка, 2312856, кл. H 01 L 21/308, 1977. 2. Моро У. Микролитография. - М.: Мир, 1990, с. 1182 - 1185. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Принц В.Я.
Селезнев В.А.
Принц А.В. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Принц Виктор Яковлевич
Селезнев Владимир Александрович
Принц Александр Викторо |
Реферат | |
Использование: в технологии микро- и наноэлетроники, для изготовления защитной маски, необходимой для производства твердотельных приборов с характерными нанометровыми размерами элементов. Сущность изобретения: при изготовлении защитной маски для нанолитографии под монокристаллическим защитным слоем формируют вспомогательный слой, который селективно вытравливают под локальными областями защитного слоя, предназначенными для формирования окон, а в самих локальных областях слоя изготавливают концентраторы напряжений и создают механические напряжения, приводящие к контролируемому трещинообразованию. Защитный и вспомогательный слои формируют в едином технологическом процессе при выращивании твердотельной структуры. 1 з.п.ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента