|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2111575 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | 1. Болтакс В.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. - Л.: Наука, 1972, 384 с. 2. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия./Под ред.Р.Б.Бургера и Р.Донована. - М.: Мир, 1989, с.257-278, 292-297. |
| Имя заявителя: | Московский государственный институт электроники и математики | | Изобретатели: | Белоусов В.М.
Попов В.К.
Прохоров Ю.И.
Шленов Ю.В.
Якункин М.М. | | Патентообладатели: | Московский государственный институт электроники и математики |
Реферат | |
Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также в других областях техники, связанных с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы. Сущность изобретения: процесс диффузии примеси в полупроводник проводят в две стадии, при этом процесс осаждения проводится стандартным методом в электротермических печах сопротивления, а процесс перераспределения примеси по глубине полупроводника осуществляется на воздухе при температуре, близкой к комнатной, в потоке высокоэнергетического пучка с энергией электронов 9,5 - 12 МэВ и интегральной дозой облучения, равной 6 · 107 - 5 · 1018 эл/см2, при плотности тока в пучке 2 - 15 мкА/см2.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента