|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАКОПИТЕЛЬНОГО КОНДЕНСАТОРА ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2110870 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/70 | | Аналоги изобретения: | ТИИЭР, 1983, т.71, N 5, с.3 - 11. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с.390. US, патент, 4742018, кл. H 01 L 21/70, 1988. US, патент, 4700457, кл. H 01 L 21/72, 1987. |
| Имя заявителя: | Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл" (BY) | | Изобретатели: | Турцевич Аркадий Степанович[BY]
Красницкий Василий Яковлевич[BY]
Довнар Николай Александрович[BY]
Родин Георгий Федорович[BY]
Наливайко Олег Юрьевич[BY] | | Патентообладатели: | Конструкторско-технологическое бюро "Белмикросистемы" Научно-производственного объединения "Интеграл" (BY) |
Реферат | |
Изобретение относится к технологии изготовления накопительных конденсаторов в элементах памяти интегральных схем. Его использование позволяет повысить выход годных интегральных схем и их качество за счет снижения дефектности. Способ включает нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с диэлектрическим слоем и с контактным окном первого проводящего слоя, формирование в нем части первой обкладки конденсатора, осаждение разделительного изолирующего слоя, нанесение фоторезистивной маски с рисунком контактного окна, вскрытие контактного окна, удаление фоторезистивной маски, нанесение второго проводящего слоя, контактирующего с первым через контактное окно, формирование в нем другой части первой обкладки конденсатора, селективное удаление разделительного изолирующего слоя, формирование конденсаторного диэлектрика, нанесение третьего проводящего слоя, создание в нем второй обкладки конденсатора. Технический результат достигается благодаря тому, что разделительный изолирующий слой осаждают после нанесения первого проводящего слоя, наносят второй проводящий слой и дополнительный разделительный изолирующий слой, наносят фоторезистивную маску и вскрывают самосовмещенное окно для соединения проводящих слоев и одновременно формируют части первой обкладки конденсатора в нижележащих проводящих слоях, удаляют фоторезистивную маску, наносят соединительный проводящий слой, фотолитографией формируют рисунок дополнительной поверхности первой обкладки, селективно удаляют разделительные изолирующие слои, а конденсаторный диэлектрик формируют на обнажившейся поверхности и дополнительном проводящем слое. 1 з.п.ф-лы, 5 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента