|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2110116 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокации. - М.: Мир, 1968, с.26 - 36. 2. Мильвидский М.Г., Лайнер Л.В. К методике выявления дислокаций в монокристаллах, 1962, т.28, N 4, с.459 - 462. 3. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред.Б.Д.Луфт. - М.: Радио и связь, 1982, с.126 - 128. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике для выявления и анализа структурных дефектов. Сущность изобретения: для выявления структурных дефектов в кристаллах кремния исследуемую поверхность кристалла облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника дозой (1,2 - 7,2) · 1012 см-2, производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе и выявленные дефекты после травления фиксируют в кольцевой области, окружающей зону облучения. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента