|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК |  |
Номер публикации патента: 2110115 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | 1. Лабунов В.А., Баранов И.Л., Бондаренко В.П., Дорофеев А.М. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. Зарубежная электронная техника. 1983, N 11, с.5 - 33. 2. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.Д. Очистка кремния от примесей с помощью внутреннего геттера. Микроэлектроника. 1983, т.12, вып.5, с.432 - 439. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области микроэлектроники, а именно в технологии изготовления пластин подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. Сущность изобретения: производят механическую и химическую обработки поверхности рабочей и нерабочей сторон подложек, а затем трехстадийный отжиг при высоких и низких температурах для формирования внутреннего геттерирующего слоя, перед второй низкотемпературной стадией отжига подложки с рабочей стороны облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника, фиксируют изменения периода кристаллической решетки приповерхностных слоев вблизи нерабочей стороны подложек и прекращают облучение после стабилизации периода решетки. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента