|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ПЛАНАРНЫХ N - P - N - ТРАНЗИСТОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2107972 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | 1. Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я.А.Федотова, М.: Советское радио, 1973, с. 13 - 18, 60, 61. 2. EP, заявка 0182400, кл. H 01 L 29/72, 1986. 3. US, патент 4483738, кл. H 01 L 7/44, 1984. |
| Имя заявителя: | Асессоров Валерий Викторович | | Изобретатели: | Асессоров Валерий Викторович
Дикарев Владимир Иванович
Кожевников Владимир Андреевич | | Патентообладатели: | Асессоров Валерий Викторович
Дикарев Владимир Иванович
Кожевников Владимир Андреев |
Реферат | |
Использование: изобретение относится ж области полупроводниковой микроэлектроники и предназначено для изготовления биполярных планарных n-р-n транзисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярных планарных n-р-n транзисторов перед нанесением на поверхность подложки двухслойного диэлектрического покрытия на ней создают однослойное диэлектрическое покрытие из оксида кремния, производят частичное его удаление с использованием фоторезистивной маски, ионное легирование на первой стадии создания области базы осуществляют перед нанесением двухслойного диэлектрического покрытия, удаляют его в местах создания эмиттера и базовых контактов, вторую стадию формирования базовой области осуществляют путем диффузии бора в окислительной атмосфере с образованием оксида кремния на поверхности структуры, после чего удаляют оставшееся двухслойное покрытие, участки поверхности в местах образования базовых контактов защищают маской из фоторезиста и осуществляют легирование подложки примесью типа, противоположного основной примеси в базе, с последующим удалением фоторезиста и отжигом структуры для формирования области эмиттера. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента