|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИКМОП СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2106039 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/8248 | | Аналоги изобретения: | 1. JP, заявка, 6097661, кл. H 01L 27/06, 1985. 2. US, патент, 5034338, кл. H 01L 21/285, 1991. 3. EP, заявка, 0325342, кл. H 01L 21/82, 1989. 4. US, патент, 4868135, кл. H 01L 21/265, 1989. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Лукасевич М.И.
Горнев Е.С.
Шевченко А.П. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: микроэлектронника, технология изготовления комплементарных вертикальных NPN и PNP транзисторов и комплементарных полевых транзисторов на общей подложке с использованием самосовмещенной структуры биполярного транзистора типа Aspekt, согласованной с технологией КМОП. Сущность изобретения: способ включает изготовление на общей подложке скрытых слоев двух типов проводимости и эпитаксиальной пленки, формирование в ней изолированных карманов двух типов проводимости, размещение в них комплементарных биполярных и полевых транзисторов, легирование одного из эмиттеров биполярных транзисторов примесью, имеющей меньший коэффициент диффузии в кремнии, чем легирующая примесь второго эмиттера, отжиг структуры при первой высокой температуре, затем легирование второго эмиттера и окружающую его область внешней базы примесью другого типа проводимости, с уровнем концентрации в кремнии меньшим, чем уровень легирования во внешней базовой области биполярного транзистора, после чего отжигают структуру при второй меньшей температуре. 13 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента