|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЕРТИКАЛЬНОГО PNP ТРАНЗИСТОРА В СОСТАВЕ ИС |  |
Номер публикации патента: 2106037 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент США, 4855244, кл. H 01L 21/265, 1989. 2. Pong - Fei Lu et al. The Design and Optimization of High Perfomance Double Poly Self - Aligned PNP Technology. IEEE Transactions ou Electrou Devices. vol.38, N 6, 1991. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Лукасевич М.И.
Горнев Е.С.
Шевченко А.П.
Дзюбанова В.В.
Самсонов Е.С.
Локтев А.Н.
Шварц К.-Г.М. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИМЭ и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: технология ИС на биполярных вертикальных PNP транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления вертикального PNP транзистора в составе ИС включает амортизацию приповерхностного слоя и его легирование примесью p - типа проводимости в месте будущего расположения скрытых слоев p+ типа проводимости в одном процессе имплантации примесью BF2, рекристаллизацию и отжиг аморфизированного слоя, осаждение эпитаксиального слоя, формирование боковой изоляции, создание диэлектрика на поверхности, формирование коллекторной области, создание базовой области транзистора, формирование эмиттера. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента