|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП ИС |  |
Номер публикации патента: 2105382 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент А 4918510, кл.H 01 L 27/02, 1990. 2. US, патент А 4110899, кл.B 01 J 17/00, 1978. |
| Имя заявителя: | Бабаев Борис Александрович | | Изобретатели: | Бабаев Борис Александрович
Гуреев Сергей Александрович
Дерендяев Василий Васильевич
Зеленцов Александр Владимирович
Сельков Евгений Степанович
Щетинин Юрий Иванович | | Патентообладатели: | Бабаев Борис Александрович
Гуреев Сергей Александрович
Дерендяев Василий Васильевич
Зеленцов Александр Владимирович
Сельков Евгений Степанович
Щетинин Юрий Ива |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при разработке и производстве одноканальных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового, линейного и аналогового применения. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС основан на последовательном формировании контактных окон к полупроводниковой пластине в слоях поликристаллического кремния и подзатворного окисла, нанесении второго слоя поликристаллического кремния и слоя нитрида кремния, формировании в слоях нитрида кремния и поликристаллического кремния затворов, контактных окон к полупроводниковой пластине и разделительных областей между стоками и охранными зонами, легировании областей стоков, истоков и охранных областей, удалении нитрида кремния с разделительных областей между стоками и охранными зонами, термическом окислении, удалении нитрида кремния, благодаря чему происходит вскрытие контактных окон к диффузионным областям и затворам, создании разводки металлом, что повышает процент выхода годных ИС, их стойкость к внешним воздействиям, плотность компоновки и быстродействие. 9 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента