|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2105380 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | 1. Овчаров В.Ф. и др. Подготовка пластин большого диаметра. Зарубежная электронная техника. - М.: ЦНИИ "Электроника", 1979, вып. 23(218), с.8 -17. 2. Запорожский В.П., Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1988, с.34 - 62. 3. Никифорова-Денисова С.Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн. 4: Механическая и химическая обработка. - М.: Высшая школа, 1989, с.3 - 24. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт "Пульсар" | | Изобретатели: | Рогов В.В.
Савушкин Ю.А. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт "Пульсар" |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра ± 0,3 мм и менее. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых пластин, включающем калибрование монокристалла, изготовление основного и вспомогательных срезов, резку монокристалла на пластины, калибрование монокристалла проводят до диаметра, по крайней мере, на 2 мм более диаметра пластин, срезы изготавливаются длиной L, равной L = l·D/d, где l - длина среза на пластине; D - диаметр калиброванного монокристалла; d - диаметр пластин, а после резки монокристалла на пластины последние центрируют относительно основного среза и проводят их дополнительное калибрование до заданного диаметра пластин. 1 табл., 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента