|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2102817 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | 1. FR, патент, 1446395, кл. H 01 L, 1966. 2. US, патент, 3428499, кл. H 01 L 7/36, 1969. 3. Горяинов С.А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. - М.: Сов.радио, 1975, с.39-44. |
| Имя заявителя: | Арендное предприятие "Кремний" | | Изобретатели: | Матовников В.А.
Жилин Л.М.
Бурьба В.В.
Шеин Ю.Ф. | | Патентообладатели: | Арендное предприятие "Кремний" |
Реферат | |
Использование: технология полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковых структур включает соединение исходной подложки через соединительный слой с опорной подложкой, удаление части исходной подложки, формирование активных элементов. Со стороны соединительного слоя на исходной подложке формируют низкоомный слой, в качестве опорной подложки используют высокоомный полупроводник либо проводник, легированный сурьмой, а в качестве исходной подложки используют монокристаллическую подложку с эпитаксиальным слоем, либо с микрорельефом, покрытым диэлектриком, либо с микрорельефом, частично покрытым диэлектриком. 2 з.п. ф-лы, 10 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента