Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОБРАБОТКИ ЛАВИННЫХ ДИОДОВ

Номер публикации патента: 2100872

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 94001682 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/263    
Аналоги изобретения: 1. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений /Под ред. Горюнова Н.Н. и Носова Ю.Р. - М.: Сов.радио, 1968, с. 304. 2. Богородский О.В., Воронцова Т.П., Жгутова О.С. и др. ЖТФ, 1985, 55, В. 7, с. 1419 - 1425. 3. JP, заявка, 2133969, кл. H 01 L 29/90, 1980. 4. US, патент, 5032878, кл. H 01 L 29/90, 1991. 5. GB, заявка, 1413369, кл. H 01 L 21/263, 1975. 6. GB, заявка, 1587363, кл. H 01 L 21/263, 1981. 7. DE, заявка, 2235069, кл. H 01 L 21/263, 1976. 8. US, патент, 4137099, кл. H 01 L 21/263, 1979. 9. Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Марченко И.Г. ФТП. - 1994, 28, В. 3, с. 478 - 481. 10. Вопросы радиационной технологии полупроводников /Под ред. Смирнова Л.С. - Новосибирск: Наука, 1980, с. 294. 

Имя заявителя: Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси (BY) 
Изобретатели: Коршунов Федор Павлович[BY]
Марченко Игорь Георгиевич[BY]
Жданович Николай Евгеньевич[BY]
Ластовский Станислав Брониславович[BY] 
Патентообладатели: Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси (BY) 

Реферат


Использование: в электронной технике, а более конкретно к методам радиационно-технической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п. Сущность: обработка включает предварительное облучение приборов электронами с энергией 2-10 МэВ, а затем проводят отжиг при 200-300oC в процессе повторного облучения диодов электронами с интенсивностью потока 2·1011 - 2·1012 см-2 · с -1 в течение 600-900 с. 3 табл.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"