|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2100871 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | 1. US, патент, 1455793, кл. H 01 L 21/26, 1976. 2. US, патент, 4137099, кл. H 01 L 21/263, 1979. |
| Имя заявителя: | Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси (BY) | | Изобретатели: | Коршунов Федор Павлович[BY]
Марченко Игорь Георгиевич[BY]
Трощинский Владимир Трофимович[BY]
Жданович Николай Евгеньевич[BY]
Ластовский Станислав Брониславович[BY] | | Патентообладатели: | Институт физики твердого тела и полупроводников АН Беларуси (BY) |
Реферат | |
Использование: при производстве быстродействующих полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров. Сущность изобретения: облучают приборные структуры со стороны высокоомной области противоположной стороне, граничащей с блокирующим p-n переходом через маску с отверстиями в форме усеченного конуса с диаметром нижнего основания 180-220 мкм, диаметром верхнего основания 80-120 мкм, расположенных на расстоянии 400-700 мкм, а материал и толщина маски обеспечивают облучение защищенных участков электронами с энергией 330-370 кэВ. 5 ил., 7 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента