|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2099814 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | 1. ЕР, заявка, 0325342, кл. H 01 L 21/82, 1989. 2. JP, заявка, 4-18693, кл. H 01 L 21/331, 1992. 3. WO, заявка, 92/14267, кл. H 01 L 29/73, 1992. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | | Изобретатели: | Лукасевич М.И. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
Завод "Микрон |
Реферат | |
Использование: технология ИС на биполярных транзисторах, изготовление биполярных транзисторов с "пристеночными" к диэлектрику областями базы и эмиттера. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает формирование локального скрытого слоя в подложке кремния, осаждение эпитаксиального слоя, легирование примесью базы в местах будущего расположения "пристеночных" областей эмиттера и базы транзистора, формирование изолирующего диэлектрика, создание базы, ограниченной областью диэлектрика, формирование слоя поликристаллического кремния, легированного примесью эмиттера, формирование поликристаллического электрода, создание эмиттера, получаемого диффузией из поликристаллического электрода и ограниченного областью диэлектрика по крайней мере с одной стороны. Способ позволяет исключить электрический прокол базы в области "пристенки" к диэлектрику под эмиттером в связи с сужением ширины базы. 8 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента