|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОПОЛОГИИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ |  |
Номер публикации патента: 2099810 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | 1. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. - М.: Мир, 1986, с.354. 2. Электроника, 1987, N 23, с.25. |
| Имя заявителя: | "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа | | Изобретатели: | Криворучко В.А.
Петров Н.А.
Федоренко В.В. | | Патентообладатели: | "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа |
Реферат | |
Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч. гибридных, интегрированных на целой пластине и т.п.). Сущность: в способе формирования топологии ИС под воздействием лазерного излучения в активной газовой среде на поверхности материала формируют затравочный слой, а затем в другой газовой среде под воздействием ультрафиолетового излучения формируют функциональный слой. Способ основан на формировании центров хемосорбции под воздействием лазерного луча, которые образуются за счет разложения летучего соединения металла с низкой энергией активации, и использовании их в качестве затравочного слоя для проведения каталитических реакций под воздействием активирующего ультрафиолетового излучения. 2 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента