|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ АМОРФНОЙ ФАЗЫ НА НЕКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2098886 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | Готра З.Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. - Львов: Каменяр, 1986, с.27 - 33. Там же, с.157 и 158. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество закрытого типа "Технологии для Вас" | | Изобретатели: | Петров Н.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество закрытого типа "Технологии для Вас." |
Реферат | |
Изобретение относится к производству кристаллов и может быть использовано в производстве полупроводниковых кристаллов для изготовления микросхем. Сущность: сначала на плоскую подложку методом лазерного-стимулированного осаждения из газовой фазы осаждается слой аморфного вещества необходимой толщины, а затем в слое создается интерференционная картина с помощью двух лазерных лучей. На пленку направляется лазерный луч с энергией, достаточной для получения расплава, после чего начинается процесс кристаллизации, при этом интерференционная картина (стоячая волна) является затравкой процесса кристаллизации. 1 з.п. ф-лы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента