На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2097872

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  95103452		Получить полное описание патента

Реферат

Использование: полупроводниковая техника для неразрушающего контроля параметров полупроводниковых материалов. Неразрушающий СВЧ- способ измерения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках предусматривает формирование неразрушающих контактов к структуре: со стороны полуизолирующей подложки - жидкого, прозрачного для СВЧ-излучения, а со стороны поверхности проводящего слоя - прижимного. Через данные контакты к n-i переходу пленка - полуизолирующая подложка прикладывают обратное постоянное смещение V_подл, которое изменяет ширину области обеднения n-i перехода, и модулируют толщину n-i перехода, прикладывая через эти контакты переменное смещение v~@п_одл , модулируя тем самым проводимость слоя на краю области обеднения n-i перехода, причем сумма v_подл + v~@п_одл не превосходит напряжения пробоя n-i перехода. Из измеряемой отраженной СВЧ-мощности выделяют переменную составляющую, из магнитополевой зависимости которой определяют подвижность как функцию обратного смещения, приложенного к n-i переходу, по формуле:
,
где &Dgr;P_СВЧ - переменная составляющая отраженной СВЧ мощности; μ(v_подл) - - подвижность как функция обратного смещения V_подл; B - магнитная индукция. 2 с.п.ф-лы, 3 ил.

Вернуться к списку