|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| НЕРАЗРУШАЮЩИЙ СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2094908 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Полупроводниковые приборы и их применение. Сборник статей N 23. - М.: Советское радио, 1970, с.3 - 48. M.Kunst and G. Beck. The study of charge oarrier kinetics in semiconductor by microwaue conductivity measurements J.Appe. Plys., 60, 1986, p.3558 - 3566. W.Jantz et al. Characterozatioe of Active Layers in CaAs by microwave Absorption Appe. Phys. A. 45, 1988, p.225 - 232. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Принц В.Я. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН |
Реферат | |
Использование: полупроводниковая техника, для контроля полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур включает освещение структуры импульсом света с энергией кванта большей, чем ширина запрещенной зоны полупроводника, и измерении СВЧ методом релаксации неравновесной проводимости структуры. Для расширения функциональных возможностей и информативности способа за счет определения концентрации дырок в буферном слое типичных многослойных структур, предназначенных для изготовления интегральных схем и полевых транзисторов, формируют неразрушающие контакты к структуре, прикладывают к структуре смещение и освещают ее светом со стороны подложки, выключают свет и регистрируют постоянную времени релаксации проводимости, по которой определяют концентрацию дырок. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента