|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ |  |
Номер публикации патента: 2094906 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Ковтонюк Н.Ф. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1970, с.155 - 171. 2. Авторское свидетельство СССР N 1728901, кл.H 01L 21/66, 1990. |
| Имя заявителя: | Дехтяр Юрий Давидович[LV] | | Изобретатели: | Дехтяр Юрий Давидович[LV]
Носков Владимир Александрович[LV]
Шнирман Мария Борисовна[RU] | | Патентообладатели: | Дехтяр Юрий Давидович[LV]
Носков Владимир Александрович[LV]
Шнирман Мария Борисовна[R |
Реферат | |
Использование: полупроводниковое материаловедение, для определения электрофизических свойств полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: для определения концентрации подвижных носителей заряда в полупроводниках вакуумируют образец, определяют зависимость тока экзоэлектронной эмиссии от температуры при медленном нагреве образца и УФ-обработке его поверхности. Медленно охлаждают образец до исходной температуры. Повторно определяют зависимость экзоэлектронной эмиссии от температуры при тех же условиях и дополнительной ИК-обработке поверхности с известной плотностью светового потока. Сравнивают две зависимости. Определяют температуру, при которой значения тока экзоэлектронной эмиссии совпадают. С учетом этой температуры рассчитывают искомый параметр. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента