На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСИ ИЗ ТВЕРДОГО ИСТОЧНИКА ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2094901 |  |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | H01L021/22 | Аналоги изобретения: | 1. Бреслер Г.И., Денисюк В.А., Пих В.С. Диффузия фосфора из твердых планарных источников в кремниевые пластины большего диаметра. - Электронная промышленность, 1987, вып. 1 (159), с. 66 - 68. 2. Патент США N 4620832, кл. H 01 L 21/324, 1986. |
Имя заявителя: | Киевский научно-исследовательский институт микроприборов (UA) | Изобретатели: | Денисюк Владимир Антонович[UA] Бреслер Григорий Исаакович[UA] | Патентообладатели: | Денисюк Владимир Антонович (UA) |
Реферат |  |
Использование: в области микроэлектроники, в частности способах диффузии примеси для создания высоколегированных областей n-типа проводимости при изготовлении силовых полупроводниковых приборов: силовых биполярных и полевых транзисторов, силовых модулей, преобразователей. Сущность изобретения: способ диффузии примеси из твердого источника при изготовлении полупроводниковых приборов включает размещение в кварцевой кассете кремниевых пластин и твердого источника примеси, загрузку кассеты в рабочую зону кварцевого реактора с первоначальным уровнем температуры, нагрев кремниевых пластин и твердого источника фосфора в рабочей зоне и проведение диффузии в замкнутом объеме, охлаждение кварцевой кассеты до первоначального уровня температуры и выгрузку кассеты из кварцевого реактора. После размещения в кассете кремниевых пластин и твердого источника примеси ее располагают на кварцевом носителе, на котором устанавливают за кассетой кварцевый вкладыш, и одновременно загружают кассету и кварцевый вкладыш путем ввода кварцевого носителя в рабочую зону кварцевого реактора в потоке инертного газа с расходом не более 250 л/ч, при проведении нагрева, диффузии и охлаждении выполняют продольно-возвратное перемещение кварцевого носителя. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.
|