|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ |  |
Номер публикации патента: 2090951 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | 1. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Применение низкотемпературной плазмы в производстве интегральных схем. - М.: Энергоатомиздат, 1987, с.163-176. 2. Патент США N 4559100, кл. H 01 L 21/306, 1986. 3. J. Tepeckmeister et al. J. Vac. Sci. Technol. 1994, v. B. 12, N 4, p. 2310. |
| Имя заявителя: | Институт микроэлектроники РАН | | Изобретатели: | Амиров И.И.
Изюмов М.О. | | Патентообладатели: | Институт микроэлектроники РАН |
Реферат | |
Использование: в производстве интегральных схем. Сущность: на материал, помещенный на подложкодержатель, находящийся в магнитном поле и под ВЧ-напряжением частотой 13,56 Мгц, воздействуют химически активной плазмой ВЧ-индукционного разряда пониженного давления вне зоны ее преимущественной генерации, плазму генерируют ВЧ-индукционным разрядом частотой 40-500 МГц в магнитном поле напряженностью 30-300 Э при пониженном давлении. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента