|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2086039 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/302 | | Аналоги изобретения: | 1. Stengl R.etal. Bubble-tre silicon water bounding in a non cleanroom environment. Jap.J.Appl. Phys. 1988, v. 27, N 12, p. 2363 - 2366. 2. Волле В.М. и др. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды. Письма в ЖТФ, т. 16, вып. 17, с. 61 - 65. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Аргунова Т.С.
Белякова Е.И.
Грехов И.В.
Костина Л.С.
Кудрявцева Т.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур, заключается в полировке пластин, их гидрофилизации, обработке пластин в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин отполированными сторонами в упомянутом растворе, сушке соединенных пластин на воздухе при температуре 100 - 130oC в течение времени не менее 4 час. при одновременном приложении давления величиной не менее 3·10-3 Па, последующем нагреве пластин со скоростью не более 10 град/мин, начиная с температуры 200oC до температуры не менее 1000oC, и выдержке при указанной температуре. Новым в способе является то, что перед гидрофилизацией на полированной поверхности пластин выполняют канавки глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами канавок d, отвечающим следующему соотношению: 20≅d≅1000 мкм. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента