|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПОРНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ - НА - ДИЭЛЕКТРИКЕ |  |
Номер публикации патента: 2083025 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 58-40337, кл. H 01 L 21/76, 1983. 2. Заявка Японии N 52-34349, кл. H 01 L 21/76, 1977. 3. Заявка Японии N 63-205926, кл. H 01 L 21/76, 1988. 4. Заявка Японии N 2-5545, кл. H 01 L 21/76, 1990. 5. Патент США N 4411060, кл. H 01 L 21/76, 1983. 6. Патент США N 4606936, кл. H 01 L 21/76, 1986. |
| Имя заявителя: | Черняк Евгений Яковлевич | | Изобретатели: | Черняк Евгений Яковлевич
Максименков Иван Григорьевич | | Патентообладатели: | Черняк Евгений Яковлевич
Максименков Иван Григорьеви |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией. Сущность: формирование опорного слоя ведут посредством направления на поверхность слоя диэлектрического материала потока порошка кремния, его нагрева и осаждения в расплавленном состоянии на движущуюся и нагретую до температуры 800-1000oC полупроводниковую пластину. Нагрев порошка осуществляют фотонным излучением или потоком электронов. А расстояние от зоны взаимодействия излучения с потоком порошка до поверхности движущейся пластины выбирают не более 0,3 см. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента