|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2080686 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/283 | | Аналоги изобретения: | Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника.- М.: 1986, с. 372. Демиденко В.В., Осипенко В.А., Шабальников Л.Г. Пайка кристаллов мощных транзисторов эвтектическим припоем AlGe, Электронная промышленность, № 6, 1979, с. 72 - 73. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Велигура Г.А.
Сакун В.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, в частности в производстве полупроводниковых приборов при подготовке кристаллов к монтажу в корпус. Сущность изобретения: на коллекторную сторону пластины со сформированными структурами полупроводниковых приборов последовательно наносят слой алюминия и германия. Пластины разделяют на кристаллы и проводят напайку кристаллов на кристаллодержатель. После нанесения слоя германия наносят дополнительный слой алюминия толщиной в пределах 0,05-0,15 толщины слоя германия и проводят термообработку в газовой среде с содержанием окисляющих компонентов кислорода и/или паров воды на более 3 об.% при 424 - 510oC.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента