|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2077751 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | 1. Лисичкин Г.В. и др. Методы химического модифицирования кристаллов: В кн. "Модифицированные кремнеземы в сорбции, катализе и хроматографии", гл.3. - М.: Химия, 1986, с. 36. 2. F.Hutter et al. Proc of the 2 nd Int. Meeting on Chemical Sensors, BORDAUX 1986, p. 443 - 446; Mikroperipherik, Gassensitive Materialien, m.e. Bd. 4(1990), Heft 5, (LXXVIII - LXXIX) г. Hutter. 3. U. Jonsson et al. Chemical Vapour deposition of silaues, Thin. Solid Films, 124(1985), p. 117 - 123. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН | | Изобретатели: | Репинский С.М.
Васильева Л.Л.
Ненашева Л.А.
Дульцев Ф.Н. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН
Товарищество с ограниченной ответственностью "Эгалс |
Реферат | |
Использование: технология получения полупроводниковых приборов, производство твердотельных газовых датчиков диоксида серы. Сущность изобретения: модифицированные слои диоксида кремния получают в изотермических условиях в присутствии паров органических соединений, содержащих аминогруппы. Слои могут быть сформированы и модифицированы одновременно при температуре 120-200oC. общем давлении 0,5-1 мм рт.ст. и газовой смеси, содержащей моносилан и кислород в соотношении концентраций от 1 до 0,4, при парциальном давлении моносилана 0,3-0,7 мм рт.ст. Другой вариант получения модифицированных слоев диоксида кремния заключается в том, что слои формируют из газовой фазы, содержащей моносилан и кислород в соотношении концентраций от 0,6 до 0,4, при парциальном давлении моносилана 0,5-0,7 мм рт.ст. при температуре 70-120oC и общем давлении 0,8-1 мм рт.ст., а модификацию проводят путем отжига при температуре 150-200oC в присутствии паров органических соединений. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента