|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2071143 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/328 H01L029/74 | | Аналоги изобретения: | 1. И.В.Грехов, А.В.Горбатюк, С.В.Коротков, Л.С.Костина, Н.С.Яковчукю О новой возможности быстрой коммутации больших мощностей силовыми полупроводниковыми приборами.- ЖТФ 52,7, 1982, с. 1369 - 1374. 2. В.М.Волле, В.Б.Воронков, И.В.Грехов, В.А.Козлов. Применение технологии твердофазного прямого сращивания кремния при изготовлении полупроводниковых структур для силовой электроники. 1992, с. 58 - 64, Электротехника. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Грехов И.В.
Костина Л.С.
Белякова Е.И. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой структуры, заключающемся в создании диффузией или имплантацией на поверхности пластины заданного распределения легирующей примеси, последующим сращивании полученной структуры с пластиной противоположного типа проводимости и последующей последовательной диф
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента