На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2070350 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/84 | Аналоги изобретения: | 1. Зарубежная электронная техника.- 1978, N15. 2. Горяинов С.А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. - М.: Сов. радио, 1975, с.39 - 42. |
Имя заявителя: | Хаустов Владимир Анатольевич | Изобретатели: | Хаустов Владимир Анатольевич | Патентообладатели: | Хаустов Владимир Анатольевич |
Реферат |  |
(57) Использование: изобретение может быть использовано при изготовлении дискретных приборов и интегральных схем. Сущность: на поверхности кремниевой подложки нелитографическими методами создаются маскирующие участки субмикронного размера, удаленные друг от друга на субмикронное расстояние и имеющие произвольную форму; эта маска используется для анизотропного травления кремниевой пластины на определенную глубину.
|