|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ |  |
Номер публикации патента: 2068211 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/338 | | Аналоги изобретения: | 1. Авторское свидетельство СССР N 522710, кл. Н 01 L 21/02, 1981. 2. Полевые транзисторы на арсениде галлия. - М.: Радио и связь, 1988, с. 83 - 85. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский инженерный центр "Кристалл" | | Изобретатели: | Кипарисов С.Я. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский инженерный центр "Кристалл" |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность: металлизацию электродов (истока, стока и затвора) транзистора осуществляют химическим осаждением из растворов селективно через фоторезистивную контактную маску. В качестве материала затвора используют покрытие, выполненное из аморфного, тугоплавкого сплава никель-палладий-фосфор, который осаждают из никельпалладиевой ванны при температуре 96-99oC и рН 9-10.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента