|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2065640 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/304 | | Аналоги изобретения: | Запорожский В.П, Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов. - М.: Высшая шкода, 1988 , с. 34 - 86. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/под ред. Б.Д.Луфт. - М.: Радио и связь, 1982, с. 74 - 76. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Перевощиков В.А.
Скупов В.Д.
Шенгуров В.Г. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пластин путем анодной обработки в растворе фтористоводородной кислоты формируют слой пористого кремния толщиной, в 2:5 раз превышающей глубину нарушенного слоя от химико-технического полирования, а последующее химико-динамическое полирование проводят в растворе гидроксида калия или натрия на глубину, в 1,5:2 раза большую толщины слоя пористого кремния. Технический результат - снижение плотности дефектов и примесей в приповерхностных слоях подложек кремния и повышение процента выхода годных. 1 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента