|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ЛЕГИРОВАННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ТИПА А*994В*996 |  |
Номер публикации патента: 2065223 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | 1. Logolhelis E.M. Holloway H. Photoconductivity in Epitaxial Pb<SB>1-x</SB>Sn<SB>x</SB>Te. J.appe. phys.- 1972, v. 43, N 1, р.256 - 257. 2. Патент США N 4154631, кл. 148 - 175, 1979. |
| Имя заявителя: | Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украины (UA) | | Изобретатели: | Водопьянов Владимир Николаевич[UA]
Кондратенко Максим Максимович[UA]
Копыл Александр Иванович[UA]
Летюченко Сергей Дмитриевич[UA]
Слынько Евгений Илларионович[UA] | | Патентообладатели: | Черновицкое отделение Института проблем материаловедения АН Украины (UA) |
Реферат | |
Использование: в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, а именно технология получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6 включает в себя испарение материала при температуре испарителя 508 ± 2oC и его осаждение на монокристаллическую подложку из фторида бария, находящегося при температуре 457±2oC в квазизамкнутом объеме в вакууме. Для испарения берут материал состава (Pb1-xSnxTe1-y+$$$Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 меньше/равно х меньше равно 0,31, 0,24 меньше/равно y меньше/равно 0,26, 0,012 меньше/равно z меньше/равно 0,016, 10-4 меньше/равно δ меньше/равно 10-3. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента