|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ КРЕМНИЕВЫХ СЛОЕВ N - ТИПА ПРОВОДИМОСТИ НА ИЗОЛИРУЮЩИХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2063096 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Severin P.J. Measurent of the resistivity and thichness of a heterotype grown silicon layer with the spreading resistance methode. Physics Research Report , 1971, v. 26, N 5, p. 359-372. 2. Авторское свидетельство СССР N 1512420, кл. H 01 L 21/66, 1988. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им.А.Н.Севченко (BY) | | Изобретатели: | Варавин Владимир Афанасьевич[BY]
Казакевич Леонид Александрович[BY]
Лугаков Петр Федорович[BY]
Цикунов Александр Владимирович[BY] | | Патентообладатели: | Варавин Владимир Афанасьевич (BY)
Казакевич Леонид Александрович (BY)
Лугаков Петр Федорович (BY)
Цикунов Александр Владимирович ( |
Реферат | |
Изобретение относится к области контроля толщины кремниевых слоев n-типа проводимости на изолирующих подложках. Кремниевый слой предварительно облучают гамма-квантами 60Со, после чего проводят термообработку подложки при температурах 500-750 К в течение времени от 5 до 10 минут, затем измеряют зависимость поверхностной концентрации носителей заряда в слое от температуры в диапазоне от 77 до 400 К, по которой затем определяют интервал температур ионизации дефектов структуры и расчетным путем определяют толщину исследуемых слоев. 1 ил., 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента