|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР IN SB/GA AS |  |
Номер публикации патента: 2063094 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры/Под ред. Л.Ченга и К.Плога.- М.: Мир, 1989, с. 246. John L. Davis and Philip E. Thompson. Molecular beam epitaxy growth of InSb films on GaAs. "Appl. Phis. Lett". v.54, N 22, p. 2235 - 2237, 1989. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт "Восток" | | Изобретатели: | Величко А.А.
Илюшин В.А. | | Патентообладатели: | Величко Александр Андреевич
Илюшин Владимир Александрови |
Реферат | |
Использование: изобретение может быть использовано в производстве интегральных схем и приборов оптоэлектроники. Сущность изобретения: способ включает выращивание на полупроводниковой подложке из GaAS буферного слоя GaAS и последующую эпитаксию слоя lnSb в 3 стадии - твердофазная эпитаксия аморфного слоя, осажденного при комнатной температуре, низкотемпературная и высокотемпературная эпитаксия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента