|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ФОСФОРСИЛИКАТНОГО СТЕКЛА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ |  |
Номер публикации патента: 2059323 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/316 | | Аналоги изобретения: | 1. А.Адамс. Технология СБИС, т.1. /Под ред. С.Зи, М.: Мир, 1986, с.125-173. 2. Патент Японии N 51-48758, кл. H 01L 21/31, 1976. 3. A.Learn. J. of. Electrochem. Sosiety, 1985, v.132, N 2, p.405-409. |
| Имя заявителя: | Иркутский институт органической химии СО РАН | | Изобретатели: | Воронков М.Г.
Мирсков Р.Г.
Басенко С.В.
Веретенин Ю.И.
Попов В.П.
Ивлева Т.Н.
Гаштольд В.Н.
Васильев В.Ю.
Духанова Т.Г. | | Патентообладатели: | Иркутский институт органической химии СО РАН |
Реферат | |
Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем в микроэлектронике. Сущность изобретения: композиция для получения пленок фосфорсиликатного стекла на полупроводниковых подложках содержит моносилан, кислород и триэтилфосфат при определенном их количественном соотношении.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента