|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОТОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2059322 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/31 | | Аналоги изобретения: | 1. Thin solid Films, 168, 1989, N 2, p.345-352. 2. Appl. Phys, A, 46, 1988, N 4, p.243-248. |
| Имя заявителя: | Белорусская инженерная академия (BY) | | Изобретатели: | Колешко Владимир Михайлович[BY]
Куликов Владимир Семенович[BY]
Гулай Анатолий Владимирович[BY]
Мозолевская Анна Николаевна[BY] | | Патентообладатели: | Научно-инженерно-технологический центр "Микроэлектроника" Белорусской инженерной технологической академии (BY) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для производства БИС и СБИС. Сущность изобретения: способ включает нагрев подложки в реакторе атмосферного давления, подачу смеси реагирующих газов, облучение зоны осаждения вакуумным ультрафиолетовым излучением эксимерных молекул инертного газа газоразрядной плазмы барьерного типа при напряжении 1 - 20 кВ и частоте 1 - 20 кГц, причем спектр излучения выбирают из области спектра поглощения реагирующих газов. Эксимерный реактор вертикального типа для фотохимического осаждения тонких пленок содержит подложкодержатель с нагревателем, источник вакуумного ультрафиолетового излучения, включающий электрод с диэлектрическим покрытием и осевым каналом для рабочего газа и сетчатый электрод, а также узел дополнительного ввода рабочего газа и узел ввода смеси реагирующих газов, выполненные в виде трубчатого кольца с отверстиями, а между источником излучения и подложкодержателем размещен центральный детектор вспомогательного газа. 2 с. п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента