|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ I - ОБЛАСТИ |  |
Номер публикации патента: 2054746 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/306 | | Аналоги изобретения: | 1. Гусятинер М.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые сверхвысокочастотные аноды. - М.: Радио и связь, 1983, с.136-139,152-154. 2. Колесников В.Г. М., Сов.энциклопедия. 1991, с.376. 3. Таблицы физических величин. Справочник./Под ред. акад. И.К.Килоина. М.: Атомиздат, 1976, с.355. |
| Имя заявителя: | Ярославский государственный университет | | Изобретатели: | Винке А.Л.
Зимин С.П.
Палашов В.Н. | | Патентообладатели: | Ярославский государственный университет |
Реферат | |
Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: по способу изготовления i-области для повышения удельного сопротивления i-области при комнатной температуре проводят анодную электрохимическую обработку незащищенных учасков низкоомных кремниевых пластин в 48%-ном водном растворе плавиковой кислоты при плотности тока 10 - 60 мА/см2 в течение 10 - 60 мин.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента