|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВО - РАЗМЕРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2053582 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | 1. Бейт Р. На пороге нового поколения транзисторов. - В мире науки, 1988, N 5, с.66-71. 2. Т. Hiramoto et al. One dimensional. Ga As wires fabricated by focused ion beam implantation. Appl. Phys. Lett. 1987, v.51, N 20, p. 1620-1622. 3. Т. Demel et al. One dimensional electronic systems in ultrafin mesa - etched Siugle aud multiple quantum well. Appl. Phys Lett, 1988, v.53, N 22, p. 2176-2178. |
| Имя заявителя: | Кадушкин Владимир Иванович | | Изобретатели: | Кадушкин Владимир Иванович | | Патентообладатели: | Кадушкин Владимир Иванович |
Реферат | |
Использование: при изготовлении квантово-размерных полупроводниковых структур. Сущность изобретения: способ включает формирование квантово-размерных областей в процессе выращивания структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование производят посредством монохроматизации и фокусировки пучка атомов легирующей примеси с последующим направлением пучка атомов на дифракционный элемент, выделением из дифрагированного пучка первого дифракционного максимума и его направлением на поверхность эпи
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента