|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2047932 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/58 | | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Японии N 61-55772, кл.H 01L 21/58, 1981. |
| Имя заявителя: | Тукмачев Владимир Алексеевич | | Изобретатели: | Кутузов М.К.
Тукмачев В.А.
Агафонов А.В.
Зарицкий Г.В.
Никитин В.Н.
Тяпнин Г.Б.
Игнатьев С.Н. | | Патентообладатели: | Тукмачев Владимир Алексеевич |
Реферат | |
Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых приборов на траверсы выводов наносят пасту, содержащую мелкодисперсный порошок серебра и органическое связующее, при следующем соотношении компонентов, мас. порошок серебра 55,0 - 70,0; органическое связующее 30,0 45,0; термообрабатывают, наносят в зону монтажа кристалла проводниковую пасту, содержащую мелкодисперсные частицы серебра чешуйчатой формы с размером 1 10 мкм, порошок легкоплавкого стек
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента