|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА С ВЫСОКИМ ВРЕМЕНЕМ ЖИЗНИ |  |
Номер публикации патента: 2045106 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 | | Аналоги изобретения: | 1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, с.98. |
| Имя заявителя: | Величко Александр Андреевич,Илюшин Владимир Александрович | | Изобретатели: | Величко Александр Андреевич
Илюшин Владимир Александрович | | Патентообладатели: | Величко Александр Андреевич
Илюшин Владимир Александрович |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к конструкции гетероэпитаксиальной структуры. Сущность изобретения: полупроводниковая гетероэпитаксильная структура расположена на полупроводниковой монокристаллической подложке с гетероэпитаксиальным слоем n-типа и нарушенным слоем на границе раздела.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента