|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР p - КАНАЛЬНЫХ МДП БИС |  |
Номер публикации патента: 2043677 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 1345977, кл. H 01L 21/82, 1986. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт электронной техники | | Изобретатели: | Барабанов М.Ф.
Мещеряков Н.Я. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт электронной техники |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления p-канальных МДП БИС с повышенным уровнем питающего напряжения. Сущность изобретения: при изготовлении структур p-канальных МДП БИС на кремниевую подложку наносят слои оксидан нитрида кремния, формируют маску на активных областях, проводят противоинверсионное легирование, выращивают слой полевого оксида кремния, формируют фоторезистивную маску, удаляют нитрид кремния с активных диффузионных областей, легируют активные диффузионные области и
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента