На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КМОП - СТРУКТУР С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ |  |
Номер публикации патента: 2038647 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/22 | Аналоги изобретения: | 1. Заявка Великобритании /GB/ N 2153146, кл. H 01L 27/00, 1985. |
Имя заявителя: | Акционерное общество "Минский часовой завод" (BY) | Изобретатели: | Плащинский Геннадий Иосифович[BY] Смирнов Александр Михайлович[BY] Туманов Геннадий Михайлович[BY] Михайлов Валерий Владимирович[BY] Обухович Валерий Агатонович[BY] | Патентообладатели: | Акционерное общество "Минский часовой завод" (BY) |
Реферат |  |
Использование: микроэлектроника, способ формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором. Сущность изобретения: в способе формирования КМОП-структур с поликремниевым затвором на полупроводниковой пластине первого типа проводимости формируют области второго типа проводимости, формируют окисный слой, затем проводят его селективное травление в областях каналов p- и n-канальных транзисторов и областях стоков и истоков p-канальных транзисторов, формируют подзатворный диэлектрик в вытравленных обл
|